Japońsko-amerykańska współpraca nad MRAM
Japońskie i amerykańskie firmy będą wspólnie pracowały nad układami MRAM - magnetorezystywnymi pamięciami o swobodnym dostępie. Mają one w niedalekiej przyszłości zastąpić powszechnie używany DRAM. MRAM łączą zalety pamięci dynamicznych i nieulotnych. Działają bardzo szybko, zużywają niewiele energii i pozwalają na przechowywanie danych po wyłączeniu zasilania.
Na czele grupy firm i instytucji stoją Micron Technology i Tokyo Electron. Współpracują z nimi Tohoku University, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics i Hitachi. Firmy obiecują, że rozpoczną masową produkcję MRAM przed rokiem 2018.
Prace nad MRAM trwają od lat. Rozwijają je wspólnie Toshiba i SK Hynix, własne prace prowadzi też Samsung Electrnics.
Poleca
Komentarze (2)
mgr0700, 25 listopada 2013, 11:26
Kiedyś obiecywali, że do 2010 roku mram zacznie wypierać dram ale jakoś im się nie udała ta wróżba.
pogo, 25 listopada 2013, 12:09
2 lata temu HP obiecywało wprowadzenie na rynek pamięci bazujących na memrystorach. Miało to być w zeszłym roku... też nic nie słychać o tym...