![](/media/lib/29/mram-e9d15713faeddaeb1dc4f79077532d6c.jpg)
Freescale stawia na MRAM
9 czerwca 2008, 13:49Firma Freescale, duży producent półprzewodników, bardzo wierzy w rozwój pamięci magnetorezystywnych (MRAM). Jej wiara jest na tyle silna, że przedsiębiorstwo ogłosiło, iż powoła do życia osobną firmę zajmującą się tylko i wyłącznie badaniem nad MRAM-em.
MRAM nie upowszechni się szybko
17 lipca 2006, 10:04Firma analityczna Gartner uważa, że magnetorezystywne układy pamięci (MRAM), nie trafią do powszechnego użycia przed 2010 rokiem. Przed kilkoma dniami firma Freescale Semiconductor poinformowała o rozpoczęciu produkcji tego typu kości.
Samoniszczące się pamięci MRAM
25 września 2006, 17:38Pamięci MRAM czyli magnetorezystywne układy RAM, mają już w niedalekiej przyszłości zastąpić kości flash. Ich zwolennicy twierdzą też, że już w 2010 roku zaczną powoli wypierać układy DRAM.
IBM pracuje nad pamięciami nowej generacji
20 sierpnia 2007, 10:03IBM i TDK wspólnie pracują nad nowym rodzajem pamięci nieulotnej o nazwie spin torque transfer RAM (STT-RAM). Jednocześnie IBM przyznał, że nie widzi przyszłości przed technologią MRAM, nad którą dotychczas pracował.
![](/media/lib/56/dysk-twardy-dde0faf6bc60087cbb75563f0550b774.jpg)
Niepokonane HDD
28 października 2009, 12:07Były wiceprezes ds. badawczych w Seagate Technology, profesor Mark Kryder z Carnegie Mellon Univeristy, założyciel Data Storage System Center oraz jego student Chang Soo Kim przeprowadzili studium nt. przyszłości technologii przechowywania danych. W jego ramach przebadali 13 nieulotnych technologii przechowywania informacji, które są postrzegane jako możliwi następcy dysków twardych (HDD).
![Inżynier IBM-a sprawdza 300-milimetrowy plaster z układami CMOS© IBM](/media/lib/97/n-1210076935_504502-a29209b6a3afb5af12bd6deda04fe0a4.jpeg)
Japońsko-amerykańska współpraca nad MRAM
25 listopada 2013, 09:13Japońskie i amerykańskie firmy będą wspólnie pracowały nad układami MRAM - magnetorezystywnymi pamięciami o swobodnym dostępie. Mają one w niedalekiej przyszłości zastąpić powszechnie używany DRAM
W jedności siła
28 stycznia 2008, 12:04Samsung i Hynix zawarły porozumienie, którego celem jest opracowanie układów pamięci przyszłej generacji. Obie firmy zainwestują w sumie 9,46 milionów dolarów, a ich prace będą częścią większego programu wspieranego przez rząd Korei Południowej.
![Struktura pamięci MRAM,zdjęcie: NEC.](/media/lib/19/1196897860_210394-3aca8f5eb901700915373bba69b172c6.jpeg)
Szybkie i nieulotne
5 grudnia 2007, 23:29Japoński NEC informuje o opracowaniu najszybszych do tej pory układów pamięci MRAM (ang. Magnetoresistive Random Access Memory). Kości tego typu odznaczają się cechami, które mogą istotnie odmienić sposób, w jaki korzystamy z komputerów oraz wszelkich urządzeń cyfrowych. W obecnej postaci można już nimi bezpośrednio zastąpić pamięci statyczne (ang. Static RAM).
![Struktura pamięci MRAM,zdjęcie: NEC.](/media/lib/19/1196897860_210394-3aca8f5eb901700915373bba69b172c6.jpeg)
Bardziej pojemny MRAM
18 stycznia 2010, 17:18Japończycy z Narodowego Insytutu Zaawansowanych Nauk Przemysłowych i Technologii (AIST) opracowali nowy element do magnetorezystancji tunelowej (TMR). Tego typu podzespoły są niezbędne do zwiększenia pojemności pamięci magnetorezystywnych (MRAM).
![](/media/lib/39/polprzewodnik-cf1e6b0648bc1af067fcc7710178c948.jpeg)
Magnetyzm półprzewodników
28 listopada 2008, 20:23Specjaliści z amerykańskiego Narodowego Instytutu Standardów i Technologii (NIST) jako pierwsi na świecie udowodnili, że specjalnie skonstruowane urządzenie z półprzewodników wykazuje właściwości magnetyczne. Ich prace dają nadzieję na powstanie jeszcze mniejszych i bardziej wydajnych urządzeń elektronicznych, które będą zdolne do przechowywania danych w materiale półprzewodnikowym.