Bardziej gęste NAND-y
12 sierpnia 2009, 10:56Jeszcze w bieżącym roku Intel i Micron rozpoczną masową produkcję układów pamięci NAND, w których w każdej z komórek będą przechowywane trzy bity informacji. Obecnie pamięci NAND, wykorzystywane np. w telefonach komórkowych, odtwarzaczach MP3 czy klipsach USB, potrafią przechowywać 1-2 bity.
Pierwsze DDR2 1066 MHz
5 maja 2007, 08:04Micron jest autorem pierwszych 1-gigabitowych kości DDR2 standardowo współpracujących z zegarem 1066 MHz. Taki ruch nie tylko pozwoli przedłużyć rynkową obecność tego typu układów o rok lub więcej (trzeba pamiętać, że właśnie debiutują DDR3), ale zachęci też innych producentów układów pamięci do "podkręcenia" produktów Microna.
SSD z interfejsem SATA 600
4 grudnia 2009, 16:46Micron zaprezentował pierwszy w historii dysk SSD korzystający z interfejsu SATA 600. Co jednak zaskakujące, firma nie chwali się większą wydajnością pracy urządzenia, ale podkreśla, że jest ono bardziej oszczędne i stabilne niż inne dyski SSD.
Micron prezentuje 16-nanometrowe układy
16 lipca 2013, 17:33Firma Micron Technology poinformowała, że testuje 16-nanometrowy proces produkcyjny, który pozwala na tworzenie najmniejszych 128-gigabitowych układów NAND MLC (multi-level cell). Obecnie jest to najbardziej zminiaturyzowany proces produkcyjny wykorzystywany w elektronice.
Wojna cenowa na rynku SSD?
23 czerwca 2014, 09:38Dziennikarze serwisu DigiTimes twierdzą, że wkrótce może wybuchnąć wojna cenowa na rynku SSD. Główni gracze, Micron, Intel, Kingston, SanDisk i Samsung szukają sposobu na pokonanie konkurencji.
18-nanometrowe DRAM już w przyszłym roku
29 grudnia 2015, 10:37Samsung, Micron i SK Hynix rozpoczną w przyszłym roku produkcję układów DRAM w procesie 18 nanometrów. Samsung już zakończył prace nad procesem 1X-nano D-RAM i obecnie weryfikuje możliwości masowej produkcji w tej technologii
NAND gęstsze od HDD
9 lutego 2016, 12:24Po raz pierwszy w historii układy flash NAND charakteryzują się większą gęstością zapisu niż dyski HDD. Podczas 2016 IEEE International Solid State Circuits Conference Micron przedstawił dane, z których wynika, że w układach NAND można na tej samej powierzchni zapisać więcej danych niż w tradycyjnych HDD
Chińczycy potrafią wyprodukować 32-warstwowy 3D NAND
15 listopada 2017, 11:44Chiński przemysł IT wciąż jest mniej zaawansowany niż zagraniczni konkurenci, ale jego przedstawiciele nie spoczywają na laurach. Firma Yangtze River Storage Technology, należąca do Tsinghua Unigroup poinformowała o stworzeniu 32-warstwowego układu 3D NAND
W USA powstaną kolejne fabryki półprzewodników. Pierwsze efekty CHIPS and Science Act
15 maja 2023, 08:15Amerykańska ustawa CHIPS and Science Act, która wywołała spory między USA a Unią Europejską, przynosi pierwsze efekty. Jej celem jest m.in. zachęcenie do budowy w USA nowych fabryk półprzewodników. Firmy mogą liczyć na ulgi podatkowe czy dopłaty. Przeznaczono na ten cel 39 miliardów USD i najwyraźniej zachęciło to gigantów. Micron zapowiedział, że zainwestuje do 100 miliardów dolarów w nową fabrykę w stanie Nowy Jork, TMSC – który buduje wartą 12 miliardów USD fabrykę w Arizonie – wybuduje drugi zakład, zwiększając wartość inwestycji do 40 miliardów, Samsung chce za 17 miliardów wybudować fabrykę w Teksasie, a Intel rozpoczął wartą 20 miliardów USD inwestycję w dwie fabryki w Ohio.
Wkrótce pojawią się 25-nanometrowe układy
1 lutego 2010, 11:52Założona przez Intela i Microna spółka IM Flash Technologies poinformowała o gotowości do produkcji 25-nanometrowych układów NAND. To najmniejszy proces produkcyjny wykorzystywane we współczesnym przemyśle półprzewodnikowym.
