Wiedzą, jak zbadać molibdenit
22 kwietnia 2013, 16:41Disiarczek molibdenu (MoS2), występujący często w postaci molibdenitu to, jak niejednokrotnie informowaliśmy, niezwykle obiecujący materiał. Ma wiele właściwościo podobnych do grafenu, a że, w przeciwieństwie do niego, posiada przerwę energetyczną, może być bez większych przeszkód używany w elektronice.
Molibdenit lepszy od krzemu i grafenu
1 lutego 2011, 12:11Od kilku lat ekscytujemy się możliwościami grafenu, który być może w niektórych zastosowaniach zastąpi krzem. Tymczasem grafenowi wyrósł właśnie bardzo groźny konkurent - molibdenit.
Pierwszy molibdenitowy układ scalony
8 grudnia 2011, 11:40Szwajcarscy uczeni z École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), którzy na początku bieżącego roku poinformowali o świetnych właściwościach molibdenitu, materiału mogącego stać się konkurencją dla krzemu i grafenu, właśnie zaprezentowali pierwszy układ scalony zbudowany z tego materiału.
Silicen - krzem w jednej warstwie
2 maja 2012, 12:10W Physical Review Letters ukazał się artykuł, z którego dowiadujemy się o opracowaniu kolejnego materiału konkurencyjnego dla grafenu. Tym razem mowa jest o dwuwymiarowej warstwie atomów krzemu.
Grafenowo-molibdenitowy układ pamięci
20 marca 2013, 17:19Szwajcarzy z École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) połączyli dwa rewolucyjne materiały - grafen i molibdenit - w prototypowy układ pamięci flash. Uczeni z EPFL już przed dwoma laty zwrócili uwagę na niezwykle interesujące właściwości molibdenitu, a kilka miesięcy później zaprezentowali pierwszy układ scalony wykonany z tego materiału.
Do katalizatorów i superkondensatorów
5 listopada 2014, 13:44Disiarczek molibdenu (MoS2) był w swoim czasie postrzegany jako poważny konkurent grafenu. Jednak ekscytacja nim zaczęła mijać, gdy okazało się, że MoS2 zawiera rodzaj „pułapek” na elektrony. „Pułapki” te to zanieczyszczenia lub zaburzenia struktury, które znacząco zmniejszają użyteczne właściwości elektroniczne materiału.
Koniec miniaturyzacji? Chińczycy stworzyli tranzystor od długości bramki 0,34 nm
14 marca 2022, 09:35Od dekad tranzystory są mniejsze i mniejsze. Dzięki temu w procesorze możemy upakować ich więcej. To zaś najłatwiejszy sposób na zwiększenie wydajności procesora. Powoli zbliżamy się do momentu, w którym nie będziemy już w stanie zmniejszać długości bramki tranzystora. Niewykluczone, że Chińczycy właśnie dotarli do tej granicy.
