Nowatorskie źródła światła i elektronika przyszłości dzięki połączeniu grafenu z hBN
10 czerwca 2022, 09:26University of Michigan informuje o odkryciu, które przyspieszy prace nad elektroniką przyszłej generacji oraz nowatorskimi źródłami światła. Naukowcy z Ann Arbor opracowali pierwszą niezawodną skalowalną metodę uzyskiwania pojedynczych warstw heksagonalnego azotku boru (hBN) na grafenie. W procesie, w którym mogą powstawać duże płachty hBN, wykorzystano powszechnie stosowany proces epitaksji z wiązek molekularnych.
Slidetronika sposobem na dalszą miniaturyzację układów pamięci?
28 czerwca 2021, 10:17Badacze z Uniwersytetu w Tel Awiwie odkryli nowy sposób na przełączanie polaryzacji ultracienkich materiałów ferroelektrycznych. Nazwali swoją metodę „slidetroniką” – slidetronics – gdyż do przełączania dochodzi, gdy sąsiadujące warstwy atomów prześlizgują się w poprzek siebie. Slidetronika może być alternatywnym efektywnym sposobem kontrolowania miniaturowych urządzeń elektrycznych.
Zaskakujące zachowanie kwazicząstek w grafenowych supersieciach. Powstaną szybsze tranzystory?
1 grudnia 2020, 11:00Naukowcy z University of Manchester zauważyli, że w w grafenownych supersieciach znajdujących się pomiędzy dwoma warstwami azotku boru pojawia się nowa rodzina kwazicząstek. Odkrycie ma znaczenie dla badań nad fizyką materii skondensowanej i może prowadzić do stworzenia tranzystorów pracujących z wyższymi częstotliwościami.
Połączyli grafen z azotkiem boru i kontrolują światło
20 maja 2015, 11:47Naukowcy z MIT-u połączyli właściwości dwóch dwuwymiarowych materiałów, co pozwoliło im na niezwykle precyzyjne kontrolowanie fali światła. Ich prace mogą znaleźć zastosowanie w nowych systemach wykrywania za pomocą światła, zarządzania energią oraz w urządzeniach do obrazowania o wysokiej rozdzielności.
Przekładanie warstw grafenu
9 września 2014, 05:15Naukowcy z University of Manchester, tego samego, na którym przed 10 laty odkryto grafen, dowiedli, że umieszczenie warstwy grafenu pomiędzy dwiema warstwami tzw. białego grafenu pozwala na uzyskanie materiału przydatnego do produkcji wysoko wydajnych podzespołów elektronicznych.
