Zmiany spinu szybsze niż sądzono
21 lipca 2015, 13:53Technologie spintroniczne właśnie zyskały na atrakcyjności. Szwajcarzy z Politechniki Federalnej w Lozannie (EPFL) wykazali, że zmiana wartości spinu odbywa się w elektronach znacznie szybciej niż sądzono. Dotychczas uważano, że elektron zmienia wartość spinu zbyt wolno, by można było wykorzystać to np. do budowy spintronicznych dysków twardych
Powstała pamięć RRAM?
10 lutego 2009, 11:55Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).
Zarejestrowano kwantowy szum Barkhausena. Największe zjawisko kwantowe w laboratorium?
19 kwietnia 2024, 09:49W materiałach ferromagnetycznych spiny grup elektronów zwrócone są w tym samym kierunku. Dotyczy to jednak poszczególnych regionów (domen magnetycznych), spiny pomiędzy domenami nie są uzgodnione. Wszystko się zmienia w obecności pola magnetycznego. Wówczas spiny wszystkich domen ustawiają się w tym samym kierunku. Zjawisko to nie zachodzi jednak jednocześnie, a przypomina lawinę
Przełączanie światła światłem
10 listopada 2011, 17:21Naukowcy z Cornell University udowodnili, że przechodzenie promienia światła przez kabel optyczny może być kontrolowane przez inny promień światła. Możliwe jest zatem stworzenie całkowicie optycznego przełącznika.
Hybrid SLI - Nvidii sposób na oszczędzanie
26 czerwca 2007, 10:54Korzystanie z wysoko wydajnych procesorów graficznych niesie za sobą zwiększenie poboru energii przez komputer. Jest to szczególnie widoczne gdy używamy więcej niż jednego GPU.
Nadchodzi azotek galu
29 lipca 2015, 12:23Nie grafen czy molibdenit, ale azotek galu (GaN) będzie prawdopodobnie tym materiałem, który w najbliższym czasie zastąpi krzem w roli podstawowego półprzewodnika. W 2013 roku amerykański Departament Energii przeznaczył niemal 70 milionów dolarów na badania nad GaN. Urzędnicy z DoE uzasadniali swoją decyzję tym, że wykorzystanie tego materiału może pomóc w zredukowaniu zapotrzebowania na energię
