Samsung umieścił sztuczną inteligencję wewnątrz układu pamięci
18 lutego 2021, 13:08Firma Samsung Electronics poinformowała o stworzeniu pierwszego modułu High Bandwidth Memory (HBM) zintegrowanego z modułem obliczeniowym wykorzystującym sztuczną inteligencję – HBM-PIM. Architektura processing-in-memory (PIM) umieszczona wewnątrz wysokowydajnych modułów pamięci ma służyć przede wszystkim przyspieszeniu przetwarzania danych
Optyczne łączenie chipów
13 lutego 2009, 11:28Intel jest jednym ze światowych liderów badań nad krzemową fotoniką. Firma ma na tym polu duże osiągnięcia, o których informowaliśmy już niejednokrotnie.
Powstał najbardziej skomplikowany obwód elektroniczny z nanorurek
27 lutego 2013, 19:11Podczas ubiegłotygodniowej International Solid-State Circuits Conference naukowcy z Uniwersytetu Stanforda zaprezentowali najbardziej skomplikowany obwód scalony wykonany z węglowych nanorurek. Obwód przekładał sygnał analogowy z kondensatora na sygnał cyfrowy, który trafiał do mikroprocesora
Dyski SSD o pojemności 128 GB
15 marca 2007, 14:20Firma Super Talent Technology, jeden liderów na rynku pamięci DRAM i flash poinformowała o przygotowaniu całej gamy dysków SSD (solid-state disk). Urządzenia wyposażono w interfejs SATA.
Stały rozpuszczalnik sposobem na unikatowe materiały
26 lutego 2021, 12:28Materiały niemożliwe do otrzymania dotychczasowymi metodami można wyprodukować z użyciem stałego, nanostrukturalnego rozpuszczalnika krzemionkowego. Nowatorskie podejście do wytwarzania substancji o unikatowych własnościach fizykochemicznych zaprezentowali naukowcy z Instytutu Fizyki Jądrowej Polskiej Akademii Nauk w Krakowie.
Szybkie i niedokładne
18 lutego 2009, 17:10Podczas International Solid State Circuits Conference (ISSCC) naukowcy z Rice University pokazali pierwszy probabilistyczny procesor (PCMOS - Probabilistic CMOS). Urządzenie działa siedmiokrotnie szybciej i zużywa 30-krotnie mniej energii niż najbardziej wydajne współczesne kości.
