Mały Hynix
5 grudnia 2006, 09:30Hynix Semiconductor opracował najmniejszą i najszybszą kość DRAM o pojemności 512 megabitów. Układ przeznaczony jest dla urządzeń przenośnych.
Ostateczna wersja standardu DDR4
26 września 2012, 12:04Opublikowano ostateczną wersję standardu pamięci DDR4. Zmienia on sposób odczytywania i zapisywania danych, zwiększa przepustowość i częstotliwość pracy zegara, przyspieszając dzięki temu pracę przyszłych układów pamięci ulotnej.
Vista winna brakom podzespołów
28 października 2006, 17:23Od połowy października producenci pecetów zmagają się z brakiem podzespołów potrzebnych do budowy komputerów. Na rynku jest zbyt mało procesorów, układów pamięci, chipsetów i baterii litowo-jonowych.
Chińczycy potrafią wyprodukować 32-warstwowy 3D NAND
15 listopada 2017, 11:44Chiński przemysł IT wciąż jest mniej zaawansowany niż zagraniczni konkurenci, ale jego przedstawiciele nie spoczywają na laurach. Firma Yangtze River Storage Technology, należąca do Tsinghua Unigroup poinformowała o stworzeniu 32-warstwowego układu 3D NAND
Powstała pamięć RRAM?
10 lutego 2009, 11:55Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).
Odczyt z FeRAM bez niszczenia danych
14 czerwca 2013, 09:23Udało się rozwiązać jeden z największych problemów trapiących pamięc FeRAM. Opracowano metodę, która pozwala na odczytanie zawartości tych pamięci bez jej niszczenia.
AMD i Nvidia powołane na świadków
3 grudnia 2006, 14:54Amerykański Departament Sprawiedliwości (DoJ) wezwał przedstawicieli AMD i Nvidii przed sąd. Będą oni świadkami w toczącym się śledztwie dotyczącym możliwych naruszeń prawa antymonopolowego na rynku kart i procesorów graficznych.
Dziesiątki miliardów USD w rozwój przemysłu półprzewodnikowego
5 marca 2018, 11:09Chiński rząd chce powołać nowy fundusz, którego zadaniem będzie finansowanie rozwoju krajowego przemysłu półprzewodnikowego. China Integrated Circuit Investment Fund Co. (CICIF) dostanie do dyspozycji 200 miliardów juanów, czyli 31,5 miliarda USD
Niepokonane HDD
28 października 2009, 12:07Były wiceprezes ds. badawczych w Seagate Technology, profesor Mark Kryder z Carnegie Mellon Univeristy, założyciel Data Storage System Center oraz jego student Chang Soo Kim przeprowadzili studium nt. przyszłości technologii przechowywania danych. W jego ramach przebadali 13 nieulotnych technologii przechowywania informacji, które są postrzegane jako możliwi następcy dysków twardych (HDD).
Japońsko-amerykańska współpraca nad MRAM
25 listopada 2013, 09:13Japońskie i amerykańskie firmy będą wspólnie pracowały nad układami MRAM - magnetorezystywnymi pamięciami o swobodnym dostępie. Mają one w niedalekiej przyszłości zastąpić powszechnie używany DRAM
