Teoretyczna pamięć fononowa
8 stycznia 2009, 12:34Lei Wang i Baowen Li, naukowcy z Singapuru badają możliwość wyprodukowania urządzeń przechowujących dane, które miałyby działać nie dzięki zmianom napięcia, a zmianom temperatury (falom cieplnym).
Ruszyła największa na świecie fabryka układów pamięci
23 września 2011, 10:45Samsung uruchomił największą na świecie fabrykę układów pamięci. Rozpoczęto w niej produkcję układów DDR3 DRAM z wykorzystaniem 20-nanometrowej technologii.
Samoniszczące się pamięci MRAM
25 września 2006, 17:38Pamięci MRAM czyli magnetorezystywne układy RAM, mają już w niedalekiej przyszłości zastąpić kości flash. Ich zwolennicy twierdzą też, że już w 2010 roku zaczną powoli wypierać układy DRAM.
Trolle patentowe mają nową taktykę: sojusz z plemionami indiańskimi
19 października 2017, 11:33Plemię Mohawków Akwesasne (St. Regis Tribe) pozwało do sądu Amazona i Microsoft oskarżając obie firmy o naruszenie należących do plemienia patentów. Pozew może być przejawem narastającego trendu wykorzystywania przez trolle patentowe plemion indiańskich do osiągnięcia swoich celów.
4 gigabity w jednej kości
29 stycznia 2009, 13:50Samsung Electronics jest autorem pierwszego czterogigabitowego układu DDR3 DRAM. Kość została wyprodukowana w technologii 50 nanometrów i charakteryzuje się największą gęstością upakowania danych spośród wszystkich podobnych produktów.
Ostateczna wersja standardu DDR4
26 września 2012, 12:04Opublikowano ostateczną wersję standardu pamięci DDR4. Zmienia on sposób odczytywania i zapisywania danych, zwiększa przepustowość i częstotliwość pracy zegara, przyspieszając dzięki temu pracę przyszłych układów pamięci ulotnej.
Vista winna brakom podzespołów
28 października 2006, 17:23Od połowy października producenci pecetów zmagają się z brakiem podzespołów potrzebnych do budowy komputerów. Na rynku jest zbyt mało procesorów, układów pamięci, chipsetów i baterii litowo-jonowych.
Chińczycy potrafią wyprodukować 32-warstwowy 3D NAND
15 listopada 2017, 11:44Chiński przemysł IT wciąż jest mniej zaawansowany niż zagraniczni konkurenci, ale jego przedstawiciele nie spoczywają na laurach. Firma Yangtze River Storage Technology, należąca do Tsinghua Unigroup poinformowała o stworzeniu 32-warstwowego układu 3D NAND
Powstała pamięć RRAM?
10 lutego 2009, 11:55Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).
Odczyt z FeRAM bez niszczenia danych
14 czerwca 2013, 09:23Udało się rozwiązać jeden z największych problemów trapiących pamięc FeRAM. Opracowano metodę, która pozwala na odczytanie zawartości tych pamięci bez jej niszczenia.
